快科技2月2日报道,继自研SLC NAND Flash系列产品大规模量产后,江波龙首款自研32Gb 2D MLCNAND Flash正式发布。
该产品采用BGA132封装,支持ToggleDDR模式,数据访问带宽高达400MB/s。有望应用于eMMC、SSD等产品。
江波龙表示,近年来,在存储芯片的自主研发上投入了大量的精力和资源,公司引进了一批拥有20年以上存储芯片设计经验的高端人才。
据介绍,该团队不仅精通闪存芯片设计技术,对流片工艺和产品生产流程也有深入了解,拥有丰富的4xnm、2xnm、1xnm等产品实现经验。其他闪存进程节点。
在产品测试方面,江波龙自主研发的NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路和自研测试平台,实现高效的生产测试。
目前,江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力,并将通过完善的工程和品质控制能力,逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
值得一提的是,除了继续在NAND Flash芯片领域发力外,江波龙也在DRAM芯片领域进行深入研究。
据江波龙介绍,2023年推出复合存储nMCP,将自研SLC NAND Flash与经过自研测试平台验证的LPDDR4x组合封装,实现高频、低功耗、宽温运行的优异特性,可充分满足5G网络模块存储需求。
江波龙表示,未来将继续大力投入存储芯片自主研发,深入挖掘NAND Flash和DRAM存储芯片的应用潜力。
[免责声明]本文来源于网络,不代表本站立场,如转载内容涉及版权等问题,请联系邮箱:3801085100#qq.com,#换成@即可,我们会予以删除相关文章,保证您的权利。