三星hm3参数(全新三星hm2)

在加州圣何塞举行的年度存储技术大会上，三星展示了下一代HBM3E，与现有的HBM3相比，它在容量、频率和带宽方面都有巨大的改进。

三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻技术的第四代10纳米级工艺制造，确切地说是14纳米。

单个Die容量可达24Gb，8-Die堆叠为24GB，12-Die堆叠为36GB，相比HBM3增加了一半。

等效频率可以达到9.8GHz，同样提升了一半，领先于SK海力士的9GHz和美光的9.2GHz。单芯片带宽可达1-1.1225TB/s。

对于像NVIDIA H100这样的计算卡，6块HBM3E可以在单卡上组成216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。

在能效方面，三星声称可以提高10%，但这显然会被25%的频率提升所抵消。

考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代HBM3E将于明年某个时候量产，出货可能要到明年底。

正因为如此，NVIDIA的下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，而三星至少在第一批中将无法赶上。